THOL08 　ハドロン加速器２／高周波源　 8月6日 大ホール 11:30 - 11:50

サイラトロン代替半導体スイッチの開発

Development of semi-conductor switch for modulator

○原田 瞬，佐藤 尚登，大下 英次（日新パルス電子株式会社）

○Shun Harada, Hisato Sato, Eiji Oshita (Nissin Pulse Electronics co.,ltd.)

クライストロンモジュレータ等の主スイッチとして、半導体化の提案などが過去なされているが、現状ではサイラトロンが主に使用されている。加速器の安定運転ならびにメンテナンスを考えた場合、RF源であるクライストロンモジュレータ用主スイッチの半導体化は必須であり、今回我々はサイラトロン代替を目的とした半導体スイッチを開発したので、その結果を報告する。