THP007 　電子加速器　 8月6日 小ホール 13:00 - 15:00

SuperKEKB入射器コミッショニングの現状 (II)

PRESENT STATUS OF SUPERKEKB INJECTOR LINAC COMMISSIONING (II)

○佐藤 政則，明本 光生（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），荒川 大（KEK加速器），荒木田 是夫，飯田 直子（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），池田 光男（KEK加速器），岩瀬 広（KEK放射線化学センター/総研大加速器科学専攻），榎本 收志（KEK加速器），榎本 嘉範，大沢 哲，大西 幸喜，小川 雄二郎（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），柿原 和久，風間 慎吾（KEK加速器），梶 裕志（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），片桐 広明（KEK加速器），紙谷 琢哉，菊池 光男，小磯 晴代（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），佐藤 大輔（東工大），設楽 哲夫（KEK研究支援戦略推進部），周 翔宇（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），白川 明広，末武 聖明（KEK加速器），杉本 寛，諏訪田 剛（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），清宮 裕史，田中 窓香（KEK加速器），多和田 正文（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），張 叡（KEK加速器），峠 暢一（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），中尾 克巳，中島 啓光（KEK加速器），夏井 拓也，肥後 寿泰（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），福田 茂樹（KEK加速器），船越 義裕，古川 和朗（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），本間 博幸，松下 英樹（KEK加速器），松本 修二，松本 利広，三浦 孝子（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），三川 勝彦（KEK加速器），道園 真一郎，三増 俊弘，宮原 房史，森 隆志，森田 昭夫，矢野 喜治，横山 和枝，吉田 光宏（KEK加速器/総研大加速器科学専攻）

○Masanori Satoh, Mitsuo Akemoto (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Dai Arakawa (KEK, Accelerator Laboratory), Yoshio Arakida, Naoko Iida (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Mitsuo Ikeda (KEK, Accelerator Laboratory), Hiroshi Iwase (KEK, Radiation Science Center/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Atsushi Enomoto (KEK, Accelerator Laboratory), Yoshinori Enomoto, Satoshi Ohsawa, Yukiyoshi Ohnishi, Yujiro Ogawa (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Kazuhisa Kakihara, Shingo Kazama (KEK, Accelerator Laboratory), Hiroshi Kaji (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Hiroaki Katagiri (KEK, Accelerator Laboratory), Takuya Kamitani, Mitsuo Kikuchi, Haruyo Koiso (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Daisuke Satoh (TITECH), Tetsuo Shidara (KEK, Research Administration Department), Xiangyu Zhou (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Akihiro Shirakawa, Masaaki Suetake (KEK, Accelerator Laboratory), Hiroshi Sugimoto, Tsuyoshi Suwada (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Yuji Seimiya, Tanaka Madoka (KEK, Accelerator Laboratory), Masafumi Tawada (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Rui Zhang (KEK, Accelerator Laboratory), Nobu Toge (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Katsumi Nakao, Hiromitsu Nakajima (KEK, Accelerator Laboratory), Takuya Natsui, Toshiyasu Higo (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Shigeki Fukuda (KEK, Accelerator Laboratory), Yoshihiro Funakoshi, Kazuro Furukawa (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Hiroyuki Honma, Hideki Matsushita (KEK, Accelerator Laboratory), Shuji Matsumoto, Toshihiro Matsumoto, Takako Miura (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science), Katsuhiko Mikawa (KEK, Accelerator Laboratory), Shinichiro Michizono, Toshihiro Mimashi, Fusashi Miyahara, Takashi Mori, Akio Morita, Yoshiharu Yano, Kazue Yokoyama, Mitsuhiro Yoshida, (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI, Department of Accelerator Science)

現在，KEKでは，KEKB加速器で到達した40倍のピークルミノシティーを目指し，SuperKEKB加速器の建設を進めている。本加速器では，このような高いルミノシティーを達成するため，蓄積電流値の倍増および衝突点での極小ビームサイズの実現を設計基盤とした，ナノビーム方式を採用している。ナノビーム方式では，主リングでのビーム寿命が極端に短いため，トップアップ入射は元より入射ビームのバンチ電荷量増強が必須となる。電子（陽電子）ビーム入射に要求されるバンチ電荷量は5 nC (4 nC)であり，KEKB入射器と比較して約5倍のバンチ電荷量が求められている。一方，ナノビーム方式を採用した主リングの低エミッタンス化にともない，入射器ビームの垂直方向エミッタンスは，従来の1/5である20 mm・mradが必要とされる。とりわけ電子ビームについては，ダンピングリングを用いずに低エミッタンスビーム入射を実現する必要があるため，高度なビーム制御技術が要求される。これらの要求を満足するため，新方式の光陰極RF電子銃を始めとした種々の技術開発が進められてきた。これらの機器開発と並行して，2016年に予定されているSuperKEKB主リングへのビーム入射に備え，入射器ビームコミッショニングが精力的におこなわれている。本稿では，入射器アップグレードの概要とあわせて，ビームコミッショニングに関する現状および今後の展望について報告する。