THP098 　加速器技術／加速器制御　 8月6日 小ホール 13:00 - 15:00

SuperKEKB入射器コントロールシステムの現状

PRESENT STATUS OF SUPERKEKB INJECTOR LINAC CONTROL SYSTEM

○佐藤 政則（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），工藤 拓弥，草野 史郎，市川 智浩（三菱電機システムサービス），高木 誠，早乙女 秀樹（関東情報），清宮 裕史（KEK加速器），宮原 房史（KEK加速器/総研大加速器科学専攻），三川 勝彦（KEK加速器），諏訪田 剛，古川 和朗（KEK加速器/総研大加速器科学専攻）

○Masanori Satoh (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI Department of Accelerator Science), Takuya Kudou, Shiro Kusano, Tomohiro Ichikawa (MELSC), Makoto Takagi, Hideki Saotome (KIS), Yuji Seimiya (KEK, Accelerator Laboratory), Fusashi Miyahara (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI Department of Accelerator Science), Katsuhiko Mikawa (KEK, Accelerator Laboratory), Tsuyoshi Suwada, Kazuro Furukawa (KEK, Accelerator Laboratory/SOKENDAI Department of Accelerator Science)

現在，KEKでは，KEKB加速器で到達した40倍のピークルミノシティーを目指し，SuperKEKB加速器の建設を進めている。本加速器では，このような高いルミノシティーを達成するため，蓄積電流値の倍増および衝突点での極小ビームサイズの実現を設計基盤とした，ナノビーム方式を採用している。ナノビーム方式では，主リングでのビーム寿命が極端に短いため，トップアップ入射は元より入射ビームのバンチ電荷量増強が必須となる。電子（陽電子）ビーム入射に要求されるバンチ電荷量は5 nC (4 nC)であり，KEKB入射器と比較して約5倍のバンチ電荷量が求められている。一方，ナノビーム方式を採用した主リングの低エミッタンス化にともない，入射器ビームの垂直方向エミッタンスは，従来の1/5である20 mm・mradが必要とされる。とりわけ電子ビームについては，ダンピングリングを用いずに低エミッタンスビーム入射を実現する必要があるため，高度なビーム制御技術が要求される。これらの要求を満足するため，新方式の光陰極RF電子銃を始めとした種々の技術開発が進められてきた。これと平行して，ビーム運転の可用性を高めるため，制御システムの高度化を推進してきた。本稿では，入射器アップグレードにともなう，ビーム制御システムの現状および今後の展望について報告する。