WEP123 　加速器技術／真空　 8月5日 小ホール 13:00 - 15:00

ケミカルエッチング処理した金属表面とコーティングした金属表面の２次電子放出率の比較

COMPARISON OF SECONDARY ELECTRON YIELDS FROM CHEMICALLY ETCHED AND THIN FILM COATED METALS

○照井 真司，久松 広美，石橋 拓弥，末次 祐介，柴田 恭，白井 満（高エネ研）

○Shinji Terui, Hiromi Hisamatsu, Takuya Ishibashi, Yusuke Suetsugu, Kyo Shibata, Mitsuru Shirai (KEK)

近年･将来の陽電子/陽子蓄積リングでは、ビーム軌道周辺の電子によって励起されるビーム不安定性、いわゆる電子雲不安定性の抑制が重要な課題となっている。 電子雲の発生過程は、放射光が真空チェンバーの壁に照射され光電子が発生され、その光電子がバンチの電場でキックされ真空チェンバーに衝突して出てきた２次電子が、正電荷ビームにまとわりつくというものである。この電子雲が、ヘッドテイル不安定性等の問題を引き起こす。 従来よく用いられている対策は、ビームチェンバー内面に2次電子放出率の小さい、例えば、窒化チタン(TiN)やグラファイトのコーティングを行うことである。 しかし、ビームチェンバーの形状が複雑だったり、温度を上げられない機器が取り付けてある場合には、コーティングは採用できない。 我々は、コーティングが難しいビームチェンバーの２次電子放出率を減らす一つの方法として、内面をケミカルエッチングして表面を荒らす手法を提案している。 今回の発表では、銅チェンバーを想定して、表面をケミカルエッチングした銅サンプルと、表面にTiNとグラファイトをコーティングしたサンプルを作製し、それらの２次電子放出率とガス放出率を測定した結果等を報告する。ケミカルエッチングの有用性を示す結果を得ることができた。